El trabajo mejoró las propiedades del nitruro de aluminio.
Roberto Bernal Correa, egresado de la Maestría en Ciencias-Física.
El estudio se realizó en el Laboratorio de Nanoestructuras Semiconductoras de la UN en Manizales.
Manizales, feb. 09 de 2012 - Agencia de Noticias UN- Ahorrar espacio y disminuir el tamaño de dispositivos como Smartphones y memorias USB son algunas de las potenciales aplicaciones que se obtendrían al mejorar las propiedades del nitruro de aluminio.
El trabajo fue la tesis de grado de Roberto Bernal Correa, investigador de la UN en Manizales y egresado de la Maestría en Ciencias-Física. El objetivo era mejorar las propiedades del nitruro de aluminio y el nitruro de aluminio manganeso para su aplicación en áreas de influencia en la sociedad actual como es la microelectrónica, presente en aparatos de uso cotidiano.
La obtención del material logra óptimas características piezoeléctricas, es decir, la respuesta al recibir un estímulo mecánico como puede ser la presión, la cual es ejercida, por ejemplo, sobre las pantallas táctiles de computadores y celulares.
Asimismo, al agregar átomos de oxígeno, la sensibilidad es similar a la de la piel, por lo que podría convertirse en un instrumento tipo sensor para hacer pruebas de dosificación en la aplicación de radiación a personas con cáncer.
“Por su parte, al introducir manganeso al nitruro de aluminio, este no solo se comporta como conductor de energía, sino también como material magnético, lo que contribuye a guardar información digital en dispositivos cada vez más pequeños, pues se minimizan las piezas necesarias para su construcción debido a que conduce energía y graba al mismo tiempo”, indicó el investigador.
El procedimiento para obtener los materiales se realizó con la técnica de Magnetron Sputtering, que consiste en introducirlos en un reactor en estado sólido (aluminio y manganeso), y a partir de una atmósfera de gas nitrógeno se transportan átomos de los materiales a la muestra sobre la cual quiere aplicarse la capa o recubrimiento.
El trabajo, desarrollado en el Laboratorio de Nanoestructuras Semiconductoras de la Sede Manizales bajo la dirección del profesor Álvaro Pulzara Mora, recibió una mención meritoria a finales del 2011.
(Por: Fin/amej/sup/vbr)
N° 314
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